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（e，北座f）相应的高度曲线。图二、京地材料电化学性能表征（a）在0.5mVs-1的扫数下TeNSs和Te粉的CV曲线。
铁偶头玩（g）TeNSsXRD图谱的Rietveld精修。然而，遇低基于转化机制的ZIBs目前仍然鲜有报道。手机如此高的放电容量和优异的活性材料利用率主要归因于Te的转化型离子存储行为和高导电性（2×102 Sm-1）。
（c）不同充放电态下Te、网友ZnTe2和ZnTe的归一化物相含量。（d）比较Zn-MnO2、北座Zn-V2O5和Zn-Te的放电曲线。
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